참고용
| 부품 번호 | RN2422TE85LF |
| LIXINC Part # | RN2422TE85LF |
| 제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스 |
| 설명 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RN2422TE85LF PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jun 16 - Jun 20 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RN2422TE85LF |
| 상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스 |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | PNP - Pre-Biased |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 800 mA |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50 V |
| 저항기 - 베이스(r1): | 2.2 kOhms |
| 저항 - 이미 터베이스 (r2): | 2.2 kOhms |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 65 @ 100mA, 1V |
| vce 포화(최대) @ ib, ic: | 250mV @ 1mA, 50mA |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 500nA |
| 주파수 - 전환: | 200 MHz |
| 전력 - 최대: | 200 mW |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지: | S-Mini |
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| 재고 | 10802 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $0.09540 | $0.0954 |
| 3000 | $0.09540 | $286.2 |
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