참고용
| 부품 번호 | SCT20N120 |
| LIXINC Part # | SCT20N120 |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | SCT20N120 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | May 18 - May 22 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | SCT20N120 |
| 상표: | STMicroelectronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | STMicroelectronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 기술: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 1200 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 20V |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 290mOhm @ 10A, 20V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 3.5V @ 1mA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 45 nC @ 20 V |
| vgs(최대): | +25V, -10V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 650 pF @ 400 V |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 175W (Tc) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지: | HiP247™ |
| 패키지/케이스: | TO-247-3 |
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| 재고 | 11394 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $13.63000 | $13.63 |
| 30 | $12.12663 | $363.7989 |
| 120 | $10.80788 | $1296.9456 |
| 510 | $9.72873 | $4961.6523 |
| 1020 | $9.00929 | $9189.4758 |
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