참고용
| 부품 번호 | TC58CYG0S3HRAIG |
| LIXINC Part # | TC58CYG0S3HRAIG |
| 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 범주 | 집적 회로 › 메모리 |
| 설명 | IC FLASH 2GBIT SPI 104MHZ 8WSON |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | TC58CYG0S3HRAIG PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jun 02 - Jun 06 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | TC58CYG0S3HRAIG |
| 상표: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기: | 2Gb (256M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | SPI |
| 클록 주파수: | 104 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지: | 8-WSON (6x8) |
 |
11AA040-I/MS | IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE 8MSOP | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
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MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | 812 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V65703S85BQI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA | 1225 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL01GT11TFIV10 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP | 898 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1315KV18-250BZXI | QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS PBGA16 | 987 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
70V659S10BF8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA | 828 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
MX25V8035FM1I | IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOP | 820 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10950 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.84000 | $3.84 |
| 10 | $3.42857 | $34.2857 |
| 25 | $3.08562 | $77.1405 |
| 100 | $2.81143 | $281.143 |
| 480 | $2.53714 | $1217.8272 |
| 960 | $2.05714 | $1974.8544 |
| 1440 | $1.92000 | $2764.8 |
| 2880 | $1.82400 | $5253.12 |
| 5280 | $1.75543 | $9268.6704 |
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